SOI ವೇಫರ್ಸ್

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

SOI ವೇಫರ್ ಮೂರು ಪದರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಚ್ ತರಹದ ರಚನೆಯಾಗಿದೆ;ಮೇಲಿನ ಪದರ (ಸಾಧನ ಪದರ), ಸಮಾಧಿ ಆಮ್ಲಜನಕ ಪದರದ ಮಧ್ಯಭಾಗ (ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ SiO2 ಪದರಕ್ಕಾಗಿ) ಮತ್ತು ಕೆಳಗಿನ ತಲಾಧಾರ (ಬೃಹತ್ ಸಿಲಿಕಾನ್) ಸೇರಿದಂತೆ.SOI ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು SIMOX ವಿಧಾನ ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ಬಾಂಡಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ತೆಳುವಾದ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ನಿಖರವಾದ ಸಾಧನದ ಪದರಗಳು, ಏಕರೂಪದ ದಪ್ಪ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ದೋಷದ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ.

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

SOI ವೇಫರ್ಸ್(1)

ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಕ್ಷೇತ್ರ

1. ಹೈ-ಸ್ಪೀಡ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

2. ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಸಾಧನಗಳು

3. ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

4. ಪವರ್ ಸಾಧನಗಳು

5. ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

6. MEMS

7. ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

ಐಟಂ		ವಾದ
ಒಟ್ಟಾರೆ	ವೇಫರ್ ವ್ಯಾಸ 晶圆尺寸(ಮಿಮೀ)	50/75/100/125/150/200mm ± 25um
	ಬಿಲ್ಲು/ವಾರ್ಪ್ 翘曲度(	<10um
	ಕಣಗಳು 颗粒度(	0.3um<30ea
	ಫ್ಲಾಟ್‌ಗಳು/ನಾಚ್ 定位边/定位槽	ಫ್ಲಾಟ್ ಅಥವಾ ನಾಚ್
	ಎಡ್ಜ್ ಹೊರಗಿಡುವಿಕೆ 边缘去除(ಮಿಮೀ)	/
ಸಾಧನ ಪದರ 器件层	ಸಾಧನ-ಪದರದ ಪ್ರಕಾರ/ಡೋಪಾಂಟ್ 器件层掺杂类型	ಎನ್-ಟೈಪ್/ಪಿ-ಟೈಪ್ B/ P/ Sb / As
	ಸಾಧನ-ಪದರದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	ಸಾಧನ-ಪದರದ ದಪ್ಪ 器件层厚度(ಉಮ್)	0.1 ~ 300um
	ಸಾಧನ-ಪದರದ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ 器件层电阻率(ಓಂ•ಸೆಂ)	0.001~100,000 ಓಮ್-ಸೆಂ
	ಸಾಧನ-ಪದರದ ಕಣಗಳು 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	ಸಾಧನ ಲೇಯರ್ TTV 器件层TTV(	<10um
	ಸಾಧನ ಲೇಯರ್ ಮುಕ್ತಾಯ 器件层表面处理	ನಯಗೊಳಿಸಿದ
ಬಾಕ್ಸ್	ಸಮಾಧಿ ಥರ್ಮಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ದಪ್ಪ 埋氧层厚度(ಉಮ್)	50nm(500Å)~15um
ಹ್ಯಾಂಡಲ್ ಲೇಯರ್ 衬底	ಹ್ಯಾಂಡಲ್ ವೇಫರ್ ಪ್ರಕಾರ/ಡೋಪಾಂಟ್ 衬底层类型	ಎನ್-ಟೈಪ್/ಪಿ-ಟೈಪ್ B/ P/ Sb / As
	ವೇಫರ್ ಓರಿಯಂಟೇಶನ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಿ 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	ವೇಫರ್ ರೆಸಿಸ್ಟಿವಿಟಿಯನ್ನು ನಿಭಾಯಿಸಿ 衬底电阻率(ಓಂ•ಸೆಂ)	0.001~100,000 ಓಮ್-ಸೆಂ
	ವೇಫರ್ ದಪ್ಪವನ್ನು ನಿಭಾಯಿಸಿ 衬底厚度(ಉಮ್)	>100um
	ಹ್ಯಾಂಡಲ್ ವೇಫರ್ ಫಿನಿಶ್ 衬底表面处理	ನಯಗೊಳಿಸಿದ
ಗುರಿ ವಿಶೇಷಣಗಳ SOI ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಗ್ರಾಹಕರ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಬಹುದು.