ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪಿತ ಉಂಗುರ

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನವು ಸುಧಾರಿತ ಮೇಲ್ಮೈ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದ್ದು, ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಗಟ್ಟಿಯಾದ, ಉಡುಗೆ-ನಿರೋಧಕ ಮತ್ತು ತುಕ್ಕು-ನಿರೋಧಕ ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ.ಈ ಲೇಪನವು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ವಸ್ತುವಿನ ಗಡಸುತನ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಘರ್ಷಣೆ ಮತ್ತು ಉಡುಗೆಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಕೈಗಾರಿಕಾ ಉತ್ಪಾದನೆ, ಏರೋಸ್ಪೇಸ್, ​​ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಮತ್ತು ವೈದ್ಯಕೀಯ ಉಪಕರಣಗಳು ಸೇರಿದಂತೆ ವಿವಿಧ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ವಸ್ತು ಜೀವನವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸಲು, ಉತ್ಪಾದನಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಮತ್ತು ನಿರ್ವಹಣಾ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು.ಲೋಹದ ಮೇಲ್ಮೈಗಳನ್ನು ಸವೆತದಿಂದ ರಕ್ಷಿಸುವುದು ಅಥವಾ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಭಾಗಗಳ ಉಡುಗೆ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವುದು, ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನಗಳು ವಿವಿಧ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತವೆ.

 


ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಸೆಮಿಸೆರಾ ವಿವಿಧ ಘಟಕಗಳು ಮತ್ತು ವಾಹಕಗಳಿಗೆ ವಿಶೇಷವಾದ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.ಸೆಮಿಸೆರಾ ಪ್ರಮುಖ ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, SIC/GAN ಹರಳುಗಳು ಮತ್ತು EPI ಪದರಗಳ ಉತ್ಪನ್ನದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ (ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಲೇಪಿತ TaC ಸಸೆಪ್ಟರ್), ಮತ್ತು ಪ್ರಮುಖ ರಿಯಾಕ್ಟರ್ ಘಟಕಗಳ ಜೀವನವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸುವುದು.ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ TaC ಲೇಪನದ ಬಳಕೆಯು ಅಂಚಿನ ಸಮಸ್ಯೆಯನ್ನು ಪರಿಹರಿಸಲು ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಮತ್ತು ಸೆಮಿಸೆರಾ ಸೆಮಿಸೆರಾ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು (CVD) ಪರಿಹರಿಸಿ, ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಸುಧಾರಿತ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪಿದೆ.

 

ವರ್ಷಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ನಂತರ, ಸೆಮಿಸೆರಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವಶಪಡಿಸಿಕೊಂಡಿದೆCVD TaCಆರ್ & ಡಿ ಇಲಾಖೆಯ ಜಂಟಿ ಪ್ರಯತ್ನಗಳೊಂದಿಗೆ.SiC ವೇಫರ್‌ಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ದೋಷಗಳು ಸಂಭವಿಸುವುದು ಸುಲಭ, ಆದರೆ ಬಳಸಿದ ನಂತರTaC, ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿದೆ.ಕೆಳಗೆ TaC ಯೊಂದಿಗೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲದ ವೇಫರ್‌ಗಳ ಹೋಲಿಕೆ, ಹಾಗೆಯೇ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಗಾಗಿ ಸಿಮಿಸೆರಾ ಭಾಗಗಳು

微信图片_20240227150045

TaC ಜೊತೆಗೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲದೆ

微信图片_20240227150053

TaC ಬಳಸಿದ ನಂತರ (ಬಲ)

ಜೊತೆಗೆ, Semicera ನ TaC ಲೇಪನ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಸೇವಾ ಜೀವನವು SiC ಲೇಪನಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ನಿರೋಧಕವಾಗಿದೆ.ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯದ ಮಾಪನ ಡೇಟಾದ ನಂತರ, ನಮ್ಮ TaC ಗರಿಷ್ಠ 2300 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್‌ನಲ್ಲಿ ದೀರ್ಘಕಾಲ ಕೆಲಸ ಮಾಡಬಹುದು.ಕೆಳಗಿನವುಗಳು ನಮ್ಮ ಕೆಲವು ಮಾದರಿಗಳಾಗಿವೆ:

微信截图_20240227145010

(a) PVT ವಿಧಾನದಿಂದ SiC ಸಿಂಗಲ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಇಂಗೋಟ್ ಬೆಳೆಯುವ ಸಾಧನದ ಸ್ಕೀಮ್ಯಾಟಿಕ್ ರೇಖಾಚಿತ್ರ (b) ಟಾಪ್ TaC ಲೇಪಿತ ಬೀಜ ಆವರಣ (SiC ಬೀಜ ಸೇರಿದಂತೆ) (c) TAC-ಲೇಪಿತ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ ಉಂಗುರ

ZDFVzCFV
ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣ
ಸೆಮಿಸೆರಾ ಕೆಲಸದ ಸ್ಥಳ
ಸೆಮಿಸೆರಾ ಕೆಲಸದ ಸ್ಥಳ 2
ಸಲಕರಣೆ ಯಂತ್ರ
CNN ಸಂಸ್ಕರಣೆ, ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧೀಕರಣ, CVD ಲೇಪನ
ನಮ್ಮ ಸೇವೆ

  • ಹಿಂದಿನ:
  • ಮುಂದೆ: