ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ನ ಥರ್ಮಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವು ಆಕ್ಸಿಡೈಸಿಂಗ್ ಏಜೆಂಟ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ನ ಬೇರ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ರೂಪುಗೊಂಡ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರ ಅಥವಾ ಸಿಲಿಕಾ ಪದರವಾಗಿದೆ.ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ನ ಥರ್ಮಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಮತಲವಾದ ಕೊಳವೆ ಕುಲುಮೆಯಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ತಾಪಮಾನದ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 900 ° C ~1200 ° C ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು "ಆರ್ದ್ರ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ" ಮತ್ತು "ಶುಷ್ಕ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ" ದ ಎರಡು ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನಗಳಿವೆ.ಥರ್ಮಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವು "ಬೆಳೆದ" ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವಾಗಿದ್ದು ಅದು CVD ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಏಕರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ.ಥರ್ಮಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವು ಅವಾಹಕವಾಗಿ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಪದರವಾಗಿದೆ.ಅನೇಕ ಸಿಲಿಕಾನ್-ಆಧಾರಿತ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ, ಥರ್ಮಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವು ಡೋಪಿಂಗ್ ಬ್ಲಾಕಿಂಗ್ ಲೇಯರ್ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಆಗಿ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ.
ಸಲಹೆಗಳು: ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಪ್ರಕಾರ
1. ಒಣ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಮ್ಲಜನಕದೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವು ತಳದ ಪದರದ ಕಡೆಗೆ ಚಲಿಸುತ್ತದೆ.ಒಣ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣವನ್ನು 850 ರಿಂದ 1200 ° C ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ನಡೆಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ದರವು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ, ಇದನ್ನು MOS ಇನ್ಸುಲೇಶನ್ ಗೇಟ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಬಳಸಬಹುದು.ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ, ಅಲ್ಟ್ರಾ-ತೆಳುವಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರದ ಅಗತ್ಯವಿರುವಾಗ, ಆರ್ದ್ರ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣಕ್ಕಿಂತ ಒಣ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣವನ್ನು ಆದ್ಯತೆ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಒಣ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 15nm~300nm(150A ~ 3000A)
2. ಆರ್ದ್ರ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ
ಈ ವಿಧಾನವು ~1000 ° C ನಲ್ಲಿ ಉರಿಯಲು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧ ಆಮ್ಲಜನಕದ ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ನೀರಿನ ಆವಿಯನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ.ಆರ್ದ್ರ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣವು ಒಣ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದಂತೆ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಪದರವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗದಿದ್ದರೂ, ಪ್ರತ್ಯೇಕ ವಲಯವಾಗಿ ಬಳಸಲು ಸಾಕಷ್ಟು, ಒಣ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣಕ್ಕೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸ್ಪಷ್ಟ ಪ್ರಯೋಜನವೆಂದರೆ ಅದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಬೆಳವಣಿಗೆ ದರವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
ಆರ್ದ್ರ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)
3. ಒಣ ವಿಧಾನ - ಆರ್ದ್ರ ವಿಧಾನ - ಒಣ ವಿಧಾನ
ಈ ವಿಧಾನದಲ್ಲಿ, ಶುದ್ಧ ಒಣ ಆಮ್ಲಜನಕವನ್ನು ಆರಂಭಿಕ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಕುಲುಮೆಗೆ ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಮಧ್ಯದಲ್ಲಿ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಅನ್ನು ಶುದ್ಧ ಒಣ ಆಮ್ಲಜನಕದೊಂದಿಗೆ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣವನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸಲು ದಟ್ಟವಾದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ರಚನೆಯನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ನೀರಿನ ಉಗಿ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯ ಆರ್ದ್ರ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ.
4. TEOS ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ
| ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ತಂತ್ರ | ಆರ್ದ್ರ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಅಥವಾ ಒಣ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ |
| ವ್ಯಾಸ | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| ಆಕ್ಸೈಡ್ ದಪ್ಪ | 100 Å ~ 15µm |
| ಸಹಿಷ್ಣುತೆ | +/- 5% |
| ಮೇಲ್ಮೈ | ಸಿಂಗಲ್ ಸೈಡ್ ಆಕ್ಸಿಡೇಶನ್ (SSO) / ಡಬಲ್ ಸೈಡ್ ಆಕ್ಸಿಡೇಶನ್ (DSO) |
| ಕುಲುಮೆ | ಸಮತಲ ಟ್ಯೂಬ್ ಕುಲುಮೆ |
| ಅನಿಲ | ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕ ಅನಿಲ |
| ತಾಪಮಾನ | 900℃ ~ 1200 ℃ |
| ವಕ್ರೀಕರಣ ಸೂಚಿ | 1.456 |
