ವಿವರಣೆ
ನಮ್ಮ ಕಂಪನಿ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್, ಸೆರಾಮಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಇತರ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಿವಿಡಿ ವಿಧಾನದ ಮೂಲಕ SiC ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಇಂಗಾಲ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೊಂದಿರುವ ವಿಶೇಷ ಅನಿಲಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ SiC ಅಣುಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುತ್ತವೆ, ಲೇಪಿತ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಠೇವಣಿ ಇರಿಸಲಾದ ಅಣುಗಳು, SIC ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ.
ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು
1 .ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ SiC ಲೇಪಿತ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್
2. ಉನ್ನತ ಶಾಖ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಏಕರೂಪತೆ
3. ನಯವಾದ ಮೇಲ್ಮೈಗಾಗಿ ಫೈನ್ SiC ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಲೇಪಿಸಲಾಗಿದೆ
4. ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧೀಕರಣದ ವಿರುದ್ಧ ಹೆಚ್ಚಿನ ಬಾಳಿಕೆ
CVD-SIC ಲೇಪನದ ಮುಖ್ಯ ವಿಶೇಷಣಗಳು
| SiC-CVD ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು | ||
| ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ರಚನೆ | FCC β ಹಂತ | |
| ಸಾಂದ್ರತೆ | g/cm ³ | 3.21 |
| ಗಡಸುತನ | ವಿಕರ್ಸ್ ಗಡಸುತನ | 2500 |
| ಕಾಳಿನ ಗಾತ್ರ | μm | 2~10 |
| ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧತೆ | % | 99.99995 |
| ಶಾಖ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| ಉತ್ಪತನ ತಾಪಮಾನ | ℃ | 2700 |
| ಫೆಲೆಕ್ಸುರಲ್ ಸ್ಟ್ರೆಂತ್ | MPa (RT 4-ಪಾಯಿಂಟ್) | 415 |
| ಯಂಗ್ಸ್ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ | Gpa (4pt ಬೆಂಡ್, 1300℃) | 430 |
| ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ | (W/mK) | 300 |
-
ಬ್ಯಾರೆಲ್ ಸಸೆಪ್ಟರ್ನಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಡಿಪಾಸಿಷನ್
-
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನದೊಂದಿಗೆ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಸಸೆಪ್ಟರ್...
-
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪಿತ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ರಿಯಾಕ್ಟರ್ ಬ್ಯಾರೆಲ್
-
ಎಪಿಟ್ಯಾಕ್ಸಿ ರಿಯಾಕ್ಟರ್ ಸಿಸ್ಟಂನಲ್ಲಿ ಸಿವಿಡಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಡಿಪಾಸಿಷನ್
-
ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನ
-
ಅರ್ಧ ಭಾಗಗಳು ಡ್ರಮ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಭಾಗ