ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು:
1. ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧ:
ತಾಪಮಾನವು 1600 ಸಿ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿರುವಾಗ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಇನ್ನೂ ಉತ್ತಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ.
2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ : ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಕ್ಲೋರಿನೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ.
3. ಸವೆತ ಪ್ರತಿರೋಧ: ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನ, ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ಮೇಲ್ಮೈ, ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಕಣಗಳು.
4. ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ: ಆಮ್ಲ, ಕ್ಷಾರ, ಉಪ್ಪು ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಕಾರಕಗಳು.
ನ ಮುಖ್ಯ ವಿಶೇಷಣಗಳುCVD-SIC ಲೇಪನ
| SiC-CVD ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು | ||
| ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ರಚನೆ | FCC β ಹಂತ | |
| ಸಾಂದ್ರತೆ | g/cm ³ | 3.21 |
| ಗಡಸುತನ | ವಿಕರ್ಸ್ ಗಡಸುತನ | 2500 |
| ಕಾಳಿನ ಗಾತ್ರ | μm | 2~10 |
| ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧತೆ | % | 99.99995 |
| ಶಾಖ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| ಉತ್ಪತನ ತಾಪಮಾನ | ℃ | 2700 |
| ಫೆಲೆಕ್ಸುರಲ್ ಸ್ಟ್ರೆಂತ್ | MPa (RT 4-ಪಾಯಿಂಟ್) | 415 |
| ಯಂಗ್ಸ್ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ | Gpa (4pt ಬೆಂಡ್, 1300℃) | 430 |
| ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ | (W/mK) | 300 |
