ಸೆಮಿಸೆರಾ ವಿವಿಧ ಘಟಕಗಳು ಮತ್ತು ವಾಹಕಗಳಿಗೆ ವಿಶೇಷವಾದ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.ಸೆಮಿಸೆರಾ ಪ್ರಮುಖ ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, SIC/GAN ಹರಳುಗಳು ಮತ್ತು EPI ಪದರಗಳ ಉತ್ಪನ್ನದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ (ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಲೇಪಿತ TaC ಸಸೆಪ್ಟರ್), ಮತ್ತು ಪ್ರಮುಖ ರಿಯಾಕ್ಟರ್ ಘಟಕಗಳ ಜೀವನವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸುವುದು. ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ TaC ಲೇಪನದ ಬಳಕೆಯು ಅಂಚಿನ ಸಮಸ್ಯೆಯನ್ನು ಪರಿಹರಿಸಲು ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಮತ್ತು ಸೆಮಿಸೆರಾ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು (CVD) ಪರಿಹರಿಸಿದೆ, ಇದು ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಸುಧಾರಿತ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪಿದೆ.
ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಸುಲಭವಾಗಿ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಜಡ ಅನಿಲದೊಂದಿಗೆ ನಿರ್ವಾತ ಕುಲುಮೆಗಳಲ್ಲಿ ಸಹ, ಇದು ಇನ್ನೂ ನಿಧಾನ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣಕ್ಕೆ ಒಳಗಾಗಬಹುದು. CVD ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನವನ್ನು ಬಳಸುವುದರಿಂದ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ರಕ್ಷಿಸಬಹುದು, ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನಂತೆಯೇ ಅದೇ ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. TaC ಕೂಡ ಒಂದು ಜಡ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ, ಅಂದರೆ ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಆರ್ಗಾನ್ ಅಥವಾ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ನಂತಹ ಅನಿಲಗಳೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ.ವಿಚಾರಣೆಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ CVD ಕೋಟಿಂಗ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್ ಈಗ!
ವರ್ಷಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ನಂತರ, ಸೆಮಿಸೆರಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವಶಪಡಿಸಿಕೊಂಡಿದೆCVD TaCಆರ್ & ಡಿ ಇಲಾಖೆಯ ಜಂಟಿ ಪ್ರಯತ್ನಗಳೊಂದಿಗೆ. SiC ವೇಫರ್‌ಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ದೋಷಗಳು ಸಂಭವಿಸುವುದು ಸುಲಭ, ಆದರೆ ಬಳಸಿದ ನಂತರTaC, ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿದೆ. ಕೆಳಗೆ TaC ನೊಂದಿಗೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲದೆ ವೇಫರ್‌ಗಳ ಹೋಲಿಕೆ ಇದೆ, ಹಾಗೆಯೇ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಗಾಗಿ ಸಿಮಿಸೆರಾ ಭಾಗಗಳು.
TaC ಜೊತೆಗೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲದೆ
TaC ಬಳಸಿದ ನಂತರ (ಬಲ)
ಇದಲ್ಲದೆ, ಸೆಮಿಸೆರಾ ನTaC-ಲೇಪಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳುಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸುದೀರ್ಘ ಸೇವಾ ಜೀವನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆSiC ಲೇಪನಗಳು.ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ ಮಾಪನಗಳು ನಮ್ಮ ಎಂಬುದನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿವೆTaC ಲೇಪನಗಳುವಿಸ್ತೃತ ಅವಧಿಗೆ 2300 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಬಹುದು. ನಮ್ಮ ಮಾದರಿಗಳ ಕೆಲವು ಉದಾಹರಣೆಗಳನ್ನು ಕೆಳಗೆ ನೀಡಲಾಗಿದೆ:
