ಸೆಮಿಸೆರಾ ವಿವಿಧ ಘಟಕಗಳು ಮತ್ತು ವಾಹಕಗಳಿಗೆ ವಿಶೇಷವಾದ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.ಸೆಮಿಸೆರಾ ಪ್ರಮುಖ ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, SIC/GAN ಹರಳುಗಳು ಮತ್ತು EPI ಪದರಗಳ ಉತ್ಪನ್ನದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ (ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಲೇಪಿತ TaC ಸಸೆಪ್ಟರ್), ಮತ್ತು ಪ್ರಮುಖ ರಿಯಾಕ್ಟರ್ ಘಟಕಗಳ ಜೀವನವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸುವುದು.ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ TaC ಲೇಪನದ ಬಳಕೆಯು ಅಂಚಿನ ಸಮಸ್ಯೆಯನ್ನು ಪರಿಹರಿಸಲು ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಮತ್ತು ಸೆಮಿಸೆರಾ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು (CVD) ಪರಿಹರಿಸಿದೆ, ಇದು ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಸುಧಾರಿತ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪಿದೆ.
8-ಇಂಚಿನ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (SiC) ವೇಫರ್‌ಗಳ ಆಗಮನದೊಂದಿಗೆ, ವಿವಿಧ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳು ಹೆಚ್ಚು ಕಠಿಣವಾಗಿವೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗೆ ತಾಪಮಾನವು 2000 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ಮೀರಬಹುದು.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಲೇಪಿತವಾದ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್‌ನಂತಹ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸಸೆಪ್ಟರ್ ವಸ್ತುಗಳು ಈ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಉತ್ಕೃಷ್ಟತೆಯನ್ನು ಹೊಂದುತ್ತವೆ, ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಅಡ್ಡಿಪಡಿಸುತ್ತವೆ.ಆದಾಗ್ಯೂ, CVD ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಈ ಸಮಸ್ಯೆಯನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಪರಿಹರಿಸುತ್ತದೆ, 2300 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸುದೀರ್ಘ ಸೇವಾ ಜೀವನವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ.ಸೆಮಿಸೆರಾ' ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಿs ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ TaC CVD ಕೋಟಿಂಗ್ ವೇಫರ್ ಸಸೆಪ್ಟರ್ನಮ್ಮ ಸುಧಾರಿತ ಪರಿಹಾರಗಳ ಕುರಿತು ಇನ್ನಷ್ಟು ಅನ್ವೇಷಿಸಲು.
ವರ್ಷಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ನಂತರ, ಸೆಮಿಸೆರಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವಶಪಡಿಸಿಕೊಂಡಿದೆCVD TaCಆರ್ & ಡಿ ಇಲಾಖೆಯ ಜಂಟಿ ಪ್ರಯತ್ನಗಳೊಂದಿಗೆ.SiC ವೇಫರ್‌ಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ದೋಷಗಳು ಸಂಭವಿಸುವುದು ಸುಲಭ, ಆದರೆ ಬಳಸಿದ ನಂತರTaC, ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿದೆ.ಕೆಳಗೆ TaC ನೊಂದಿಗೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲದೆ ವೇಫರ್‌ಗಳ ಹೋಲಿಕೆ ಇದೆ, ಹಾಗೆಯೇ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಸಿಮಿಸೆರಾ ಭಾಗಗಳು.
TaC ಜೊತೆಗೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲದೆ
TaC ಬಳಸಿದ ನಂತರ (ಬಲ)
ಇದಲ್ಲದೆ, ಸೆಮಿಸೆರಾ ನTaC-ಲೇಪಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳುಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ದೀರ್ಘ ಸೇವಾ ಜೀವನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆSiC ಲೇಪನಗಳು.ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ ಮಾಪನಗಳು ನಮ್ಮ ಎಂಬುದನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿವೆTaC ಲೇಪನಗಳುವಿಸ್ತೃತ ಅವಧಿಗೆ 2300 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಬಹುದು.ನಮ್ಮ ಮಾದರಿಗಳ ಕೆಲವು ಉದಾಹರಣೆಗಳನ್ನು ಕೆಳಗೆ ನೀಡಲಾಗಿದೆ:
