ಸೆಮಿಸೆರಾ ವಿವಿಧ ಘಟಕಗಳು ಮತ್ತು ವಾಹಕಗಳಿಗೆ ವಿಶೇಷವಾದ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.ಸೆಮಿಸೆರಾ ಪ್ರಮುಖ ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (TaC) ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, SIC/GAN ಹರಳುಗಳು ಮತ್ತು EPI ಪದರಗಳ ಉತ್ಪನ್ನದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ (ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಲೇಪಿತ TaC ಸಸೆಪ್ಟರ್), ಮತ್ತು ಪ್ರಮುಖ ರಿಯಾಕ್ಟರ್ ಘಟಕಗಳ ಜೀವನವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸುವುದು. ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ TaC ಲೇಪನದ ಬಳಕೆಯು ಅಂಚಿನ ಸಮಸ್ಯೆಯನ್ನು ಪರಿಹರಿಸಲು ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಮತ್ತು ಸೆಮಿಸೆರಾ ಸೆಮಿಸೆರಾ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು (CVD) ಪರಿಹರಿಸಿ, ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಸುಧಾರಿತ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪಿದೆ.
ವರ್ಷಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ನಂತರ, ಸೆಮಿಸೆರಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವಶಪಡಿಸಿಕೊಂಡಿದೆCVD TaCಆರ್ & ಡಿ ಇಲಾಖೆಯ ಜಂಟಿ ಪ್ರಯತ್ನಗಳೊಂದಿಗೆ. SiC ವೇಫರ್‌ಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ದೋಷಗಳು ಸಂಭವಿಸುವುದು ಸುಲಭ, ಆದರೆ ಬಳಸಿದ ನಂತರTaC, ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿದೆ. ಕೆಳಗೆ TaC ಯೊಂದಿಗೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲದ ವೇಫರ್‌ಗಳ ಹೋಲಿಕೆ, ಹಾಗೆಯೇ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಗಾಗಿ ಸಿಮಿಸೆರಾ ಭಾಗಗಳು
TaC ಜೊತೆಗೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲದೆ
TaC ಬಳಸಿದ ನಂತರ (ಬಲ)
ಜೊತೆಗೆ, Semicera ನ TaC ಲೇಪನ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಸೇವಾ ಜೀವನವು SiC ಲೇಪನಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ನಿರೋಧಕವಾಗಿದೆ. ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯದ ಮಾಪನ ಡೇಟಾದ ನಂತರ, ನಮ್ಮ TaC ಗರಿಷ್ಠ 2300 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್‌ನಲ್ಲಿ ದೀರ್ಘಕಾಲ ಕೆಲಸ ಮಾಡಬಹುದು. ಕೆಳಗಿನವುಗಳು ನಮ್ಮ ಕೆಲವು ಮಾದರಿಗಳಾಗಿವೆ:
(a) PVT ವಿಧಾನದಿಂದ SiC ಸಿಂಗಲ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಇಂಗೋಟ್ ಬೆಳೆಯುವ ಸಾಧನದ ಸ್ಕೀಮ್ಯಾಟಿಕ್ ರೇಖಾಚಿತ್ರ (b) ಟಾಪ್ TaC ಲೇಪಿತ ಬೀಜ ಆವರಣ (SiC ಬೀಜ ಸೇರಿದಂತೆ) (c) TAC-ಲೇಪಿತ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ ಉಂಗುರ
