GaAs ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಲೇಸರ್ (LD), ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಲೈಟ್-ಎಮಿಟಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್ (LED), ಸಮೀಪದ ಅತಿಗೆಂಪು ಲೇಸರ್, ಕ್ವಾಂಟಮ್ ವೆಲ್ ಹೈ-ಪವರ್ ಲೇಸರ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಸೌರ ಫಲಕಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅರೆ-ನಿರೋಧಕಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ರಾಡಾರ್, ಮೈಕ್ರೋವೇವ್, ಮಿಲಿಮೀಟರ್ ತರಂಗ ಅಥವಾ ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಹೈ ಸ್ಪೀಡ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಸಂವಹನಗಳಿಗಾಗಿ HEMT ಮತ್ತು HBT ಚಿಪ್‌ಗಳು; ನಿಸ್ತಂತು ಸಂವಹನಕ್ಕಾಗಿ ರೇಡಿಯೋ ಆವರ್ತನ ಸಾಧನಗಳು, 4G, 5G, ಉಪಗ್ರಹ ಸಂವಹನ, WLAN.
ಇತ್ತೀಚೆಗೆ, ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ತಲಾಧಾರಗಳು ಮಿನಿ-ಎಲ್ಇಡಿ, ಮೈಕ್ರೋ-ಎಲ್ಇಡಿ ಮತ್ತು ಕೆಂಪು ಎಲ್ಇಡಿಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮ ಪ್ರಗತಿಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಿವೆ ಮತ್ತು ಎಆರ್/ವಿಆರ್ ಧರಿಸಬಹುದಾದ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲ್ಪಡುತ್ತವೆ.
| ವ್ಯಾಸ | 50ಮಿಮೀ | 75ಮಿಮೀ | 100ಮಿಮೀ | 150ಮಿ.ಮೀ |
| ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನ | LEC液封直拉法 |
| ವೇಫರ್ ದಪ್ಪ | 350 um ~ 625 um |
| ದೃಷ್ಟಿಕೋನ | <100> / <111> / <110> ಅಥವಾ ಇತರರು |
| ವಾಹಕ ವಿಧ | ಪಿ - ಟೈಪ್ / ಎನ್ - ಟೈಪ್ / ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ |
| ವಿಧ/ಡೋಪಾಂಟ್ | Zn / Si / ತೆಗೆಯಲಾಗಿಲ್ಲ |
| ವಾಹಕ ಏಕಾಗ್ರತೆ | 1E17 ~ 5E19 cm-3 |
| RT ನಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ | SI ಗಾಗಿ ≥1E7 |
| ಚಲನಶೀಲತೆ | ≥4000 |
| ಇಪಿಡಿ(ಎಟ್ಚ್ ಪಿಟ್ ಡೆನ್ಸಿಟಿ) | 100~1E5 |
| ಟಿಟಿವಿ | ≤ 10 ಉಂ |
| ಬಿಲ್ಲು / ವಾರ್ಪ್ | ≤ 20 um |
| ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯ | DSP/SSP |
| ಲೇಸರ್ ಮಾರ್ಕ್ |
|
| ಗ್ರೇಡ್ | ಎಪಿಐ ಪಾಲಿಶ್ಡ್ ಗ್ರೇಡ್ / ಮೆಕ್ಯಾನಿಕಲ್ ಗ್ರೇಡ್ |
