-
SiC ಕೋಟಿಂಗ್ ವೀಲ್ ಗೇರ್: ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮ್ಯಾನುಫ್ಯಾಕ್ಚರಿಂಗ್ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವುದು
ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ವೇಗವಾಗಿ ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತಿರುವ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಇಳುವರಿ ಮತ್ತು ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಉಪಕರಣಗಳ ನಿಖರತೆ ಮತ್ತು ಬಾಳಿಕೆ ಅತ್ಯುನ್ನತವಾಗಿದೆ. ಇದನ್ನು ಖಾತ್ರಿಪಡಿಸುವ ಪ್ರಮುಖ ಅಂಶವೆಂದರೆ SiC ಕೋಟಿಂಗ್ ವೀಲ್ ಗೇರ್, ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಕ್ವಾರ್ಟ್ಜ್ ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಎಂದರೇನು? | ಸೆಮಿಸೆರಾ
ಸ್ಫಟಿಕ ಶಿಲೆ ಸಂರಕ್ಷಣಾ ಟ್ಯೂಬ್ ವಿವಿಧ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಗತ್ಯ ಅಂಶವಾಗಿದೆ, ಇದು ವಿಪರೀತ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಅದರ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಗೆ ಹೆಸರುವಾಸಿಯಾಗಿದೆ. ಸೆಮಿಸೆರಾದಲ್ಲಿ, ಕಠಿಣ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಬಾಳಿಕೆ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಗಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾದ ಸ್ಫಟಿಕ ಶಿಲೆ ರಕ್ಷಣೆಯ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳನ್ನು ನಾವು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತೇವೆ. ಅದ್ವಿತೀಯ ಗುಣದಿಂದ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
CVD ಲೇಪಿತ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಟ್ಯೂಬ್ ಎಂದರೇನು? | ಸೆಮಿಸೆರಾ
CVD ಲೇಪಿತ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಟ್ಯೂಬ್ ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ ಉತ್ಪಾದನೆಯಂತಹ ವಿವಿಧ ಉನ್ನತ-ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಶುದ್ಧತೆಯ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಬಳಸುವ ನಿರ್ಣಾಯಕ ಅಂಶವಾಗಿದೆ. ಸೆಮಿಸೆರಾದಲ್ಲಿ, ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ CVD ಲೇಪಿತ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವಲ್ಲಿ ನಾವು ಪರಿಣತಿ ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ ಅದು ಸುಪ್...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಐಸೊಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಎಂದರೇನು? | ಸೆಮಿಸೆರಾ
ಐಸೊಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಅನ್ನು ಐಸೊಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಫಾರ್ಮ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಎಂದೂ ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ, ಇದು ಕೋಲ್ಡ್ ಐಸೊಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಪ್ರೆಸ್ಸಿಂಗ್ (ಸಿಐಪಿ) ಎಂಬ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಕಚ್ಚಾ ವಸ್ತುಗಳ ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು ಆಯತಾಕಾರದ ಅಥವಾ ದುಂಡಗಿನ ಬ್ಲಾಕ್‌ಗಳಾಗಿ ಸಂಕುಚಿತಗೊಳಿಸುವ ವಿಧಾನವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಕೋಲ್ಡ್ ಐಸೊಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಒತ್ತುವಿಕೆಯು ವಸ್ತು ಸಂಸ್ಕರಣೆಯ ವಿಧಾನವಾಗಿದೆ ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಎಂದರೇನು? | ಸೆಮಿಸೆರಾ
ಟಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಅದರ ಅಸಾಧಾರಣ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಗೆ ಹೆಸರುವಾಸಿಯಾದ ಅತ್ಯಂತ ಗಟ್ಟಿಯಾದ ಸೆರಾಮಿಕ್ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ. ಸೆಮಿಸೆರಾದಲ್ಲಿ, ನಾವು ಉನ್ನತ-ಗುಣಮಟ್ಟದ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸುವಲ್ಲಿ ಪರಿಣತಿ ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ ಅದು ತೀವ್ರತರವಾದ ಸುಧಾರಿತ ವಸ್ತುಗಳ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಉದ್ಯಮಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಕ್ವಾರ್ಟ್ಜ್ ಫರ್ನೇಸ್ ಕೋರ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಎಂದರೇನು? | ಸೆಮಿಸೆರಾ
ಸ್ಫಟಿಕ ಶಿಲೆ ಕುಲುಮೆಯ ಕೋರ್ ಟ್ಯೂಬ್ ವಿವಿಧ ಉನ್ನತ-ತಾಪಮಾನದ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ಪರಿಸರಗಳಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಗತ್ಯ ಅಂಶವಾಗಿದೆ, ಇದನ್ನು ಅರೆವಾಹಕ ತಯಾರಿಕೆ, ಲೋಹಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂಸ್ಕರಣೆ ಮುಂತಾದ ಕೈಗಾರಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸೆಮಿಸೆರಾದಲ್ಲಿ, ನಾವು ತಿಳಿದಿರುವ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸ್ಫಟಿಕ ಶಿಲೆ ಫರ್ನೇಸ್ ಕೋರ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವಲ್ಲಿ ಪರಿಣತಿ ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಒಣ ಎಚ್ಚಣೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ
ಒಣ ಎಚ್ಚಣೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ನಾಲ್ಕು ಮೂಲಭೂತ ಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ: ಎಚ್ಚಣೆ ಮೊದಲು, ಭಾಗಶಃ ಎಚ್ಚಣೆ, ಕೇವಲ ಎಚ್ಚಣೆ ಮತ್ತು ಎಚ್ಚಣೆಯ ಮೇಲೆ. ಮುಖ್ಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೆಂದರೆ ಎಚ್ಚಣೆ ದರ, ಆಯ್ಕೆ, ನಿರ್ಣಾಯಕ ಆಯಾಮ, ಏಕರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಅಂತಿಮ ಬಿಂದು ಪತ್ತೆ. ಚಿತ್ರ 1 ಎಚ್ಚಣೆ ಮೊದಲು ಚಿತ್ರ 2 ಭಾಗಶಃ ಎಚ್ಚಣೆ ಚಿತ್ರ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ SiC ಪ್ಯಾಡಲ್
ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ತಯಾರಿಕೆಯ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ SiC ಪ್ಯಾಡಲ್ ನಿರ್ಣಾಯಕ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ. MOCVD (ಮೆಟಲ್ ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್ ಕೆಮಿಕಲ್ ಆವಿ ಠೇವಣಿ) ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಪ್ರಮುಖ ಅಂಶವಾಗಿ, SiC ಪ್ಯಾಡಲ್‌ಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ವೇಫರ್ ಪ್ಯಾಡಲ್ ಎಂದರೇನು? | ಸೆಮಿಸೆರಾ
ವೇಫರ್ ಪ್ಯಾಡಲ್ ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಬಿಲ್ಲೆಗಳನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ ಉದ್ಯಮಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ನಿರ್ಣಾಯಕ ಅಂಶವಾಗಿದೆ. ಸೆಮಿಸೆರಾದಲ್ಲಿ, ಕಠಿಣ ಬೇಡಿಕೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸುವ ಉನ್ನತ ಗುಣಮಟ್ಟದ ವೇಫರ್ ಪ್ಯಾಡಲ್‌ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವ ನಮ್ಮ ಸುಧಾರಿತ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳಲ್ಲಿ ನಾವು ಹೆಮ್ಮೆಪಡುತ್ತೇವೆ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಸಲಕರಣೆ(7/7)- ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಬೆಳವಣಿಗೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಸಲಕರಣೆ
1. ಪರಿಚಯ ಭೌತಿಕ ಅಥವಾ ರಾಸಾಯನಿಕ ವಿಧಾನಗಳ ಮೂಲಕ ತಲಾಧಾರದ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಪದಾರ್ಥಗಳನ್ನು (ಕಚ್ಚಾ ವಸ್ತುಗಳು) ಜೋಡಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಬೆಳವಣಿಗೆ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಭಿನ್ನ ಕೆಲಸದ ತತ್ವಗಳ ಪ್ರಕಾರ, ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಥಿನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಶೇಖರಣೆಯನ್ನು ಹೀಗೆ ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು:-ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಠೇವಣಿ ( ಪಿ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಸಲಕರಣೆ(6/7)- ಅಯಾನ್ ಇಂಪ್ಲಾಂಟೇಶನ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಸಲಕರಣೆ
1. ಪರಿಚಯ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಅಯಾನ್ ಅಳವಡಿಕೆ ಮುಖ್ಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ. ಇದು ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಶಕ್ತಿಗೆ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ keV ನಿಂದ MeV ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ) ಅಯಾನು ಕಿರಣವನ್ನು ವೇಗಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಭೌತಿಕ ಪ್ರಾಪ್ ಅನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಲು ಘನ ವಸ್ತುವಿನ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಚುಚ್ಚುತ್ತದೆ.ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ -
ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಸಲಕರಣೆ(5/7)- ಎಚ್ಚಣೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಸಲಕರಣೆ
ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಒಂದು ಪರಿಚಯ ಎಚ್ಚಣೆಯನ್ನು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ:-ವೆಟ್ ಎಚ್ಚಣೆ;-ಒಣ ಎಚ್ಚಣೆ. ಆರಂಭಿಕ ದಿನಗಳಲ್ಲಿ, ಆರ್ದ್ರ ಎಚ್ಚಣೆಯನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು, ಆದರೆ ಲೈನ್ ಅಗಲ ನಿಯಂತ್ರಣ ಮತ್ತು ಎಚ್ಚಣೆ ನಿರ್ದೇಶನದಲ್ಲಿ ಅದರ ಮಿತಿಗಳಿಂದಾಗಿ, 3μm ನಂತರದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ಒಣ ಎಚ್ಚಣೆಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ. ಆರ್ದ್ರ ಎಚ್ಚಣೆ ಎಂದರೆ...ಹೆಚ್ಚು ಓದಿ